Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB120N06S4H1ATMA2
LIXINC Part # IPB120N06S4H1ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB120N06S4H1ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 07 - Jul 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB120N06S4H1ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB120N06S4H1ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:270 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:21900 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):250W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB120N06S4H1ATMA2 Документы

if IPB120N06S4H1ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMP3018SFK-7 DMP3018SFK-7 MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN 869

Подробнее о заказе
STD11N60DM2 STD11N60DM2 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK 1033

Подробнее о заказе
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF MOSFET P-CH 20V 4A UF6 8255

Подробнее о заказе
SQD10N30-330H_GE3 SQD10N30-330H_GE3 MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA 1723

Подробнее о заказе
NVMYS2D1N04CLTWG NVMYS2D1N04CLTWG MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4 974

Подробнее о заказе
STB16N65M5 STB16N65M5 MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK 821

Подробнее о заказе
IXTY08N100P IXTY08N100P MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 246305

Подробнее о заказе
IPB65R660CFDATMA1 IPB65R660CFDATMA1 MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK 885

Подробнее о заказе
DMNH45M7SCT DMNH45M7SCT MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB 4577

Подробнее о заказе
AUIRLR120N AUIRLR120N AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL 7546

Подробнее о заказе
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB 942

Подробнее о заказе
FDD8586 FDD8586 MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA 84499

Подробнее о заказе
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK 801

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11856 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.78000$3.78
1000$1.65510$1655.1

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top