Только для справки
номер части | SIS402DN-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIS402DN-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIS402DN-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 11 - Oct 15 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIS402DN-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 35A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 6mOhm @ 19A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1700 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® 1212-8 |
упаковка / чехол: | PowerPAK® 1212-8 |
CSD19534Q5A | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | 21748 Подробнее о заказе |
|
IXTA120P065T-TRL | MOSFET P-CH 65V 120A TO263 | 1754 Подробнее о заказе |
|
FCPF150N65F | MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F | 18771831 Подробнее о заказе |
|
IRFP4110PBF | MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC | 3980 Подробнее о заказе |
|
AOT66920L | MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO220 | 900 Подробнее о заказе |
|
STF34NM60ND | MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP | 939 Подробнее о заказе |
|
BMS3003-1E | BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI | 898 Подробнее о заказе |
|
NVMFS5C404NLWFT3G | MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN | 800 Подробнее о заказе |
|
STP12NK80Z | MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB | 1496 Подробнее о заказе |
|
IPA60R600E6XKSA1 | 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL, MOSFET | 4599 Подробнее о заказе |
|
TSM4N90CZ C0G | MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220 | 4963 Подробнее о заказе |
|
DN3765K4-G | MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3 | 1242 Подробнее о заказе |
|
PMV100EPAR | MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB | 6606 Подробнее о заказе |
В наличии | 10859 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.98000 | $1.98 |
3000 | $1.00228 | $3006.84 |
6000 | $0.96750 | $5805 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.