SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SISS10ADN-T1-GE3
LIXINC Part # SISS10ADN-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SISS10ADN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SISS10ADN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SISS10ADN-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET® Gen IV
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:31.7A (Ta), 109A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:61 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+20V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3030 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
упаковка / чехол:PowerPAK® 1212-8S

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STI16N65M5 STI16N65M5 MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK 920

Подробнее о заказе

PMZB390UNE315 PMZB390UNE315 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 640811

Подробнее о заказе

2SK3454-AZ 2SK3454-AZ N-CHANNEL POWER MOSFET 2144

Подробнее о заказе

IXTA120N04T2 IXTA120N04T2 MOSFET N-CH 40V 120A TO263 914

Подробнее о заказе

DMG7430LFG-7 DMG7430LFG-7 MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 812

Подробнее о заказе

IPI600N25N3GAKSA1 IPI600N25N3GAKSA1 MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 3474

Подробнее о заказе

SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 MOSFET N-CH 30V 90A TO252 1952

Подробнее о заказе

FQPF13N06 FQPF13N06 MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F 3233

Подробнее о заказе

TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK 2361

Подробнее о заказе

TP65H050WS TP65H050WS GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 1252

Подробнее о заказе

NTTFS3A08PZTAG NTTFS3A08PZTAG MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN 2941

Подробнее о заказе

BUK763R9-60E,118 BUK763R9-60E,118 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 6921

Подробнее о заказе

FCH47N60-F085 FCH47N60-F085 MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 819

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11375 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.69000$0.69
3000$0.29451$883.53
6000$0.27540$1652.4
15000$0.26585$3987.75
30000$0.26063$7818.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top