IPD50N03S2L06ATMA1

IPD50N03S2L06ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD50N03S2L06ATMA1
LIXINC Part # IPD50N03S2L06ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD50N03S2L06ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 29 - Oct 03 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD50N03S2L06ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD50N03S2L06ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 85µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:68 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1900 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

CSD22204WT CSD22204WT MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA 7026

Подробнее о заказе

NX7002BKWX NX7002BKWX MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323 1252

Подробнее о заказе

STU5N62K3 STU5N62K3 MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK 987

Подробнее о заказе

IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 3774

Подробнее о заказе

FQD20N06TF FQD20N06TF MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 964

Подробнее о заказе

STF28N65M2 STF28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP 815

Подробнее о заказе

PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-100PSEQ MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB 4601

Подробнее о заказе

STD6N62K3 STD6N62K3 MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK 6725

Подробнее о заказе

IRF7607TRPBF IRF7607TRPBF IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW 19505

Подробнее о заказе

BUK794R1-40BT,127 BUK794R1-40BT,127 PFET, 75A I(D), 40V, 0.0041OHM, 1890

Подробнее о заказе

IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 917

Подробнее о заказе

IXKN40N60C IXKN40N60C MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B 2065

Подробнее о заказе

HUF75831SK8T HUF75831SK8T MOSFET N-CH 150V 3A 8SOIC 2595

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11005 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.33000$1.33
2500$0.55786$1394.65
5000$0.52996$2649.8
12500$0.51004$6375.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top