SI3430DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix SI3430DV-T1-BE3 | SI3430DV-T1-BE3 Inventory, Best Pricing

SI3430DV-T1-BE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SI3430DV-T1-BE3
LIXINC Part #	SI3430DV-T1-BE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SI3430DV-T1-BE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 29 - Oct 03 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SI3430DV-T1-BE3 Технические характеристики

номер части:	SI3430DV-T1-BE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.8A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	170mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8.2 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.14W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-TSOP
упаковка / чехол:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.06000	$1.06

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015