IPB60R045P7ATMA1

IPB60R045P7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB60R045P7ATMA1
LIXINC Part # IPB60R045P7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB60R045P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 28 - Oct 02 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB60R045P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB60R045P7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:61A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:45mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 1.08mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3891 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):201W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFU220PBF IRFU220PBF MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA 3470

Подробнее о заказе

2SJ254 2SJ254 P-CHANNEL POWER MOSFET 18661

Подробнее о заказе

IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 813

Подробнее о заказе

IRFU110PBF IRFU110PBF MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA 7329

Подробнее о заказе

NTD5802NT4G NTD5802NT4G POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 1580

Подробнее о заказе

DMP3008SFGQ-13 DMP3008SFGQ-13 MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 1144

Подробнее о заказе

AO4425 AO4425 MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC 108844

Подробнее о заказе

AUIRFS4115 AUIRFS4115 MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK 4731

Подробнее о заказе

TPH5900CNH,L1Q TPH5900CNH,L1Q MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP 886

Подробнее о заказе

SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 118778

Подробнее о заказе

IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 1603

Подробнее о заказе

BUK664R8-75C,118 BUK664R8-75C,118 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 5611

Подробнее о заказе

AOWF095A60 AOWF095A60 MOSFET N-CH 600V 38A TO262F 1834

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10987 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.80182$4.80182

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top