IAUT200N08S5N023ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUT200N08S5N023ATMA1 | IAUT200N08S5N023ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUT200N08S5N023ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IAUT200N08S5N023ATMA1
LIXINC Part #	IAUT200N08S5N023ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IAUT200N08S5N023ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 28 - Oct 02 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IAUT200N08S5N023ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IAUT200N08S5N023ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™-5
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	200A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.8V @ 130µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	7670 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	200W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HSOF-8-1
упаковка / чехол:	8-PowerSFN

PSMN1R8-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	931 Подробнее о заказе
PMF780SN,115	MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3	120845 Подробнее о заказе
IPB60R045P7ATMA1	MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2	983 Подробнее о заказе
IRFU220PBF	MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA	3534 Подробнее о заказе
2SJ254	P-CHANNEL POWER MOSFET	18715 Подробнее о заказе
IRLU3110ZPBF	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK	910 Подробнее о заказе
IRFU110PBF	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA	7313 Подробнее о заказе
NTD5802NT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1729 Подробнее о заказе
DMP3008SFGQ-13	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	1177 Подробнее о заказе
AO4425	MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC	108680 Подробнее о заказе
AUIRFS4115	MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK	4804 Подробнее о заказе
TPH5900CNH,L1Q	MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP	847 Подробнее о заказе
SI2315BDS-T1-E3	MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3	118823 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$5.37000	$5.37
2000	$2.29947	$4598.94

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015