G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N | G3R20MT12N Inventory, Best Pricing

G3R20MT12N

Увеличить

Только для справки

номер части	G3R20MT12N
LIXINC Part #	G3R20MT12N
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	G3R20MT12N След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

G3R20MT12N Технические характеристики

номер части:	G3R20MT12N
Бренд:	GeneSiC Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	GeneSiC Semiconductor
ряд:	G3R™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	105A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 60A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.69V @ 15mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	219 nC @ 15 V
ВГС (макс.):	+20V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5873 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	365W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-227
упаковка / чехол:	SOT-227-4, miniBLOC

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$53.25000	$53.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015