Только для справки
номер части | TK20E60W,S1VX |
LIXINC Part # | TK20E60W,S1VX |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | TK20E60W,S1VX След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | TK20E60W,S1VX |
Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ряд: | DTMOSIV |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 20A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 155mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.7V @ 1mA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 48 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±30V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1680 pF @ 300 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 165W (Tc) |
Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | TO-220 |
упаковка / чехол: | TO-220-3 |
HUFA75639S3ST | 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL, | 35040 Подробнее о заказе |
|
RSR020P05TL | MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 | 3102 Подробнее о заказе |
|
IRFB4310PBF | MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB | 4754 Подробнее о заказе |
|
DMT6009LCT | MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB | 1628 Подробнее о заказе |
|
PMG85XP125 | P-CHANNEL MOSFET | 996 Подробнее о заказе |
|
ZXMN10A09KTC | MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3 | 252713302 Подробнее о заказе |
|
IPD088N06N3GBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 842 Подробнее о заказе |
|
CSD18501Q5A | MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON | 53618 Подробнее о заказе |
|
IPW65R110CFDFKSA1 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 | 1141 Подробнее о заказе |
|
BUK9Y7R2-60E,115 | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | 1065 Подробнее о заказе |
|
IAUS300N08S5N012ATMA1 | IAUS300N08 - 75V-120V N-CHANNEL | 898 Подробнее о заказе |
|
FDD8882 | MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA | 927 Подробнее о заказе |
|
IPDD60R080G7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 | 2767 Подробнее о заказе |
В наличии | 10926 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $4.34360 | $4.3436 |
50 | $4.34360 | $217.18 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.