FQN1N50CTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Увеличить

Только для справки

номер части	FQN1N50CTA
LIXINC Part #	FQN1N50CTA
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FQN1N50CTA След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 21 - Oct 25 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FQN1N50CTA Технические характеристики

номер части:	FQN1N50CTA
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	QFET®
упаковка:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	500 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	380mA (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.4 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	195 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-92-3
упаковка / чехол:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015