R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor R6004JND3TL1 | R6004JND3TL1 Inventory, Best Pricing

R6004JND3TL1

Увеличить

Только для справки

номер части	R6004JND3TL1
LIXINC Part #	R6004JND3TL1
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	R6004JND3TL1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

R6004JND3TL1 Технические характеристики

номер части:	R6004JND3TL1
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	1.43Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	7V @ 450µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	10.5 nC @ 15 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	260 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	60W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-252
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.70000	$1.7
2500	$0.76087	$1902.175

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015