Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC079N10NSGATMA1

BSC079N10NSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC079N10NSGATMA1
LIXINC Part # BSC079N10NSGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC079N10NSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC079N10NSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC079N10NSGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:13.4A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 110µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:87 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5900 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):156W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC079N10NSGATMA1 Документы

if BSC079N10NSGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQI7N80TU FQI7N80TU MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK 1228

Подробнее о заказе
IXTP10P50P IXTP10P50P MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB 2085

Подробнее о заказе
FDAF62N28 FDAF62N28 MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF 2103

Подробнее о заказе
FQD19N10LTF FQD19N10LTF MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 801

Подробнее о заказе
FCPF1300N80Z FCPF1300N80Z MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 9653914

Подробнее о заказе
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK 3013

Подробнее о заказе
DMG7702SFG-7 DMG7702SFG-7 MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 4366924

Подробнее о заказе
SPA04N50C3XKSA1 SPA04N50C3XKSA1 MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-FP 2407

Подробнее о заказе
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 87A TDSON 8993

Подробнее о заказе
FDP8874 FDP8874 MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3 1764957

Подробнее о заказе
FCPF9N60NT FCPF9N60NT MOSFET N-CH 600V 9A TO220F 8412960

Подробнее о заказе
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3 1329

Подробнее о заказе
AON2406 AON2406 MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN 5267

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15871 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.87000$2.87
5000$1.31554$6577.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top