Только для справки
номер части | SIHB12N60ET1-GE3 |
LIXINC Part # | SIHB12N60ET1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIHB12N60ET1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 27 - Oct 01 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIHB12N60ET1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | E |
упаковка: | Bulk |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 380mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 58 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±30V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 937 pF @ 100 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 147W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | TO-263 (D²Pak) |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
DMP3012LPS-13 | MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060 | 856 Подробнее о заказе |
|
FDPF8N60ZUT | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F | 9871817 Подробнее о заказе |
|
TN0610N3-G | MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 | 1543 Подробнее о заказе |
|
IPP80N04S404AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 | 5380 Подробнее о заказе |
|
FQP30N06L | MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3 | 24853 Подробнее о заказе |
|
IPB025N10N3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | 895 Подробнее о заказе |
|
IRFBE30STRLPBF | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 1621 Подробнее о заказе |
|
SUP80090E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB | 1281 Подробнее о заказе |
|
IRF2807SPBF | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK | 952 Подробнее о заказе |
|
SPP11N65C3XK | SPP11N65 - 650V AND 700V COOLMOS | 877 Подробнее о заказе |
|
IRLL014TRPBF | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | 2193 Подробнее о заказе |
|
BUK7Y35-55B,115 | PFET, 28.43A I(D), 55V, 0.035OHM | 2214 Подробнее о заказе |
|
IXFK210N30X3 | MOSFET N-CH 300V 210A TO264 | 941 Подробнее о заказе |
В наличии | 11677 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $2.17000 | $2.17 |
10 | $1.96777 | $19.6777 |
100 | $1.59315 | $159.315 |
500 | $1.25284 | $626.42 |
1000 | $1.04866 | $1048.66 |
2500 | $0.98061 | $2451.525 |
5000 | $0.94658 | $4732.9 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.