BSM400C12P3G202 | ROHM Semiconductor BSM400C12P3G202 | BSM400C12P3G202 Inventory, Best Pricing

BSM400C12P3G202

Увеличить

Только для справки

номер части	BSM400C12P3G202
LIXINC Part #	BSM400C12P3G202
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSM400C12P3G202 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSM400C12P3G202 Технические характеристики

номер части:	BSM400C12P3G202
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	400A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	5.6V @ 106.8mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	+22V, -4V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	17000 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1570W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
пакет устройств поставщика:	Module
упаковка / чехол:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$915.00000	$915

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015