Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD60R180P7ATMA1

IPD60R180P7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD60R180P7ATMA1
LIXINC Part # IPD60R180P7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD60R180P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD60R180P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD60R180P7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:18A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 280µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1081 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):72W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD60R180P7ATMA1 Документы

if IPD60R180P7ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AOWF15S60 AOWF15S60 MOSFET N-CH 600V 15A TO262F 995

Подробнее о заказе
FQP9N15 FQP9N15 MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3 3287

Подробнее о заказе
MMBF170LT3G MMBF170LT3G MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 116043

Подробнее о заказе
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F 983

Подробнее о заказе
MTP4N40E MTP4N40E N-CHANNEL POWER MOSFET 4629

Подробнее о заказе
STP150N10F7 STP150N10F7 MOSFET N-CH 100V 110A TO220 1333

Подробнее о заказе
PMV16XNR PMV16XNR MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB 941

Подробнее о заказе
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 3534

Подробнее о заказе
DMN2990UFZ-7B DMN2990UFZ-7B MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN 806700806

Подробнее о заказе
FDS6685 FDS6685 MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC 27024

Подробнее о заказе
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 816

Подробнее о заказе
SUD80460E-GE3 SUD80460E-GE3 MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA 4086

Подробнее о заказе
C3M0065100J C3M0065100J SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 984

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10936 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.27000$2.27
2500$1.41367$3534.175
5000$1.36725$6836.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top