XPN9R614MC,L1XHQ

XPN9R614MC,L1XHQ
Увеличить

Только для справки

номер части XPN9R614MC,L1XHQ
LIXINC Part # XPN9R614MC,L1XHQ
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD XPN9R614MC,L1XHQ След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

XPN9R614MC,L1XHQ Технические характеристики

номер части:XPN9R614MC,L1XHQ
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSVI
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:40A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.1V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:64 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+10V, -20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):840mW (Ta), 100W (Tc)
Рабочая Температура:175°C
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-TSON Advance (3.3x3.6)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDP2D3N10C FDP2D3N10C MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 5646

Подробнее о заказе

BSP250,135 BSP250,135 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 3991

Подробнее о заказе

IRF610A IRF610A N-CHANNEL POWER MOSFET 898

Подробнее о заказе

NTD3055-150 NTD3055-150 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK 5602

Подробнее о заказе

IPI052NE7N3G IPI052NE7N3G N-CHANNEL POWER MOSFET 1368

Подробнее о заказе

FQPF9N25C FQPF9N25C MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F 962

Подробнее о заказе

NDS336P NDS336P MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 121928

Подробнее о заказе

AO4402 AO4402 MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC 15251

Подробнее о заказе

TP5322K1-G TP5322K1-G MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB 2291

Подробнее о заказе

SQ4182EY-T1_BE3 SQ4182EY-T1_BE3 MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC 3413

Подробнее о заказе

STF31N65M5 STF31N65M5 MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP 1901

Подробнее о заказе

IXFX160N30T IXFX160N30T MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3 978

Подробнее о заказе

IPB530N15N3GATMA1 IPB530N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK 825

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19959 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.47000$1.47

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top