Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD70P04P4L08ATMA1

IPD70P04P4L08ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD70P04P4L08ATMA1
LIXINC Part # IPD70P04P4L08ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD70P04P4L08ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 02 - Jul 06 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD70P04P4L08ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD70P04P4L08ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:70A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7.8mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 120µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:92 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5430 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):75W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD70P04P4L08ATMA1 Документы

if IPD70P04P4L08ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO 1732

Подробнее о заказе
R6004END3TL1 R6004END3TL1 MOSFET N-CH 600V 4A TO252 3494

Подробнее о заказе
HUFA75639S3ST-F085A HUFA75639S3ST-F085A MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK 1677

Подробнее о заказе
NP100N055PUK-E1-AY NP100N055PUK-E1-AY MOSFET N-CH 55V 100A TO263 905

Подробнее о заказе
STP6NK60Z STP6NK60Z MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB 1864

Подробнее о заказе
NVMFS5C612NLT3G NVMFS5C612NLT3G MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN 995

Подробнее о заказе
NTE2393 NTE2393 MOSFET N-CHANNEL 500V 10A TO3P 1065

Подробнее о заказе
AUIRLR3705Z AUIRLR3705Z AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL 15805

Подробнее о заказе
IPU60R1K4C6BKMA1 IPU60R1K4C6BKMA1 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3 41399

Подробнее о заказе
CSD13201W10 CSD13201W10 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 701069983

Подробнее о заказе
STT4P3LLH6 STT4P3LLH6 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 7712

Подробнее о заказе
NTP5860NLG NTP5860NLG MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB 812

Подробнее о заказе
PSMN8R0-80YLX PSMN8R0-80YLX MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 837

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10906 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.49000$1.49
2500$0.54666$1366.65

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top