CMLDM8120G TR PBFREE | Central Semiconductor CMLDM8120G TR PBFREE | CMLDM8120G TR PBFREE Inventory, Best Pricing

CMLDM8120G TR PBFREE

Увеличить

Только для справки

номер части	CMLDM8120G TR PBFREE
LIXINC Part #	CMLDM8120G TR PBFREE
Производитель	Central Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CMLDM8120G TR PBFREE След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CMLDM8120G TR PBFREE Технические характеристики

номер части:	CMLDM8120G TR PBFREE
Бренд:	Central Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Central Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	860mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	3.56 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	200 pF @ 16 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	350mW (Ta)
Рабочая Температура:	-65°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-563
упаковка / чехол:	SOT-563, SOT-666

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.51000	$0.51

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015