Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPBE65R099CFD7AATMA1

IPBE65R099CFD7AATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPBE65R099CFD7AATMA1
LIXINC Part # IPBE65R099CFD7AATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPBE65R099CFD7AATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 29 - Oct 03 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPBE65R099CFD7AATMA1 Технические характеристики

номер части:IPBE65R099CFD7AATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:24A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:99mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 630µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:53 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2513 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):127W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-3-10
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SQS840CENW-T1_GE3 SQS840CENW-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W 3687

Подробнее о заказе
YJD80G06A-F1-0000 YJD80G06A-F1-0000 N-CH MOSFET 60V 80A TO-252 962

Подробнее о заказе
IPP034NE7N3G IPP034NE7N3G IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P 2353

Подробнее о заказе
BUK7Y19-100EX BUK7Y19-100EX MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8 885

Подробнее о заказе
NTMFS4708NT3G NTMFS4708NT3G MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN 5921

Подробнее о заказе
FDS6064N3 FDS6064N3 MOSFET N-CH 20V 23A 8SO 32002

Подробнее о заказе
NX3020NAK,215 NX3020NAK,215 MOSFET N-CH 30V 200MA TO236AB 34642

Подробнее о заказе
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3 927

Подробнее о заказе
STB7ANM60N STB7ANM60N MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK 1438

Подробнее о заказе
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO 870

Подробнее о заказе
2SK1154-E 2SK1154-E N-CHANNEL POWER MOSFET 1460

Подробнее о заказе
IXTA15N50L2-TRL IXTA15N50L2-TRL MOSFET N-CH 500V 15A TO263 910

Подробнее о заказе
NTMFS4926NT1G NTMFS4926NT1G MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN 1426

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10938 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$7.32000$7.32

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top