Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDB86563-F085

FDB86563-F085
Увеличить

Только для справки

номер части FDB86563-F085
LIXINC Part # FDB86563-F085
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB86563-F085 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 29 - Oct 03 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB86563-F085 Технические характеристики

номер части:FDB86563-F085
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:110A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:163 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:10100 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):333W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB86563-F085 Документы

if FDB86563-F085 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDMS7678 FDMS7678 MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN 3112

Подробнее о заказе
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN 1850

Подробнее о заказе
DMP2067LVT-7 DMP2067LVT-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 13000

Подробнее о заказе
MTW8N50E MTW8N50E N-CHANNEL POWER MOSFET 20762

Подробнее о заказе
2SJ545-E 2SJ545-E P-CHANNEL POWER MOSFET 938

Подробнее о заказе
SSI7N60BTU SSI7N60BTU N-CHANNEL POWER MOSFET 1918

Подробнее о заказе
PMPB15XPZ PMPB15XPZ MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6 830

Подробнее о заказе
BF20-40E6814 BF20-40E6814 RF N-CHANNEL MOSFET 4946

Подробнее о заказе
STFI10N62K3 STFI10N62K3 MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP 2434

Подробнее о заказе
IPA65R600C6XKSA1 IPA65R600C6XKSA1 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 9368

Подробнее о заказе
STD7N52K3 STD7N52K3 MOSFET N-CH 525V 6A DPAK 897

Подробнее о заказе
NTD25P03L1G NTD25P03L1G MOSFET P-CH 30V 25A IPAK 912

Подробнее о заказе
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 942

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10841 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.76256$1.76256
800$1.76256$1410.048

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top