Только для справки
номер части | IPD80N06S3-09 |
LIXINC Part # | IPD80N06S3-09 |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPD80N06S3-09 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 29 - Oct 03 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPD80N06S3-09 |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Bulk |
статус детали: | Obsolete |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 55 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 80A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 8.4mOhm @ 40A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 55µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 88 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 6.1 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 107W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRFR220TRPBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK | 1453 Подробнее о заказе |
|
FCP380N60 | MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3 | 4099 Подробнее о заказе |
|
TSM042N03CS RLG | MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP | 3303 Подробнее о заказе |
|
PSMN8R5-40MLDX | MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 | 5322 Подробнее о заказе |
|
IPB600N25N3GATMA1 | MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK | 1222 Подробнее о заказе |
|
DKI03038 | MOSFET N-CH 30V 48A TO252 | 903 Подробнее о заказе |
|
AOWF160A60 | MOSFET N-CH 600V 24A TO262F | 1923 Подробнее о заказе |
|
FDB86563-F085 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK | 822 Подробнее о заказе |
|
FDMS7678 | MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN | 3112 Подробнее о заказе |
|
IPW60R190C6FKSA1 | IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN | 2039 Подробнее о заказе |
|
DMP2067LVT-7 | MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 | 12837 Подробнее о заказе |
|
MTW8N50E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 20745 Подробнее о заказе |
|
2SJ545-E | P-CHANNEL POWER MOSFET | 825 Подробнее о заказе |
В наличии | 17910 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.48000 | $0.48 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.