Только для справки
номер части | IPD50N06S4L08ATMA2 |
LIXINC Part # | IPD50N06S4L08ATMA2 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPD50N06S4L08ATMA2 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 28 - Oct 02 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPD50N06S4L08ATMA2 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 7.8mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 35µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 64 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±16V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4780 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 71W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3-11 |
упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
AON6512 | MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN | 851 Подробнее о заказе |
|
IPA60R099C7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP | 2464 Подробнее о заказе |
|
TSM340N06CH X0G | MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251 | 13268 Подробнее о заказе |
|
TN0604N3-G-P005 | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | 976 Подробнее о заказе |
|
AON6312 | MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN | 841 Подробнее о заказе |
|
FQU2N60CTU | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 9082 Подробнее о заказе |
|
FDS6690A | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC | 16141 Подробнее о заказе |
|
NTBG020N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK | 2035 Подробнее о заказе |
|
APT60M75L2LLG | MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX | 857 Подробнее о заказе |
|
IRFB18N50K | MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB | 896 Подробнее о заказе |
|
TK62N60W,S1VF | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 | 836 Подробнее о заказе |
|
IXTA08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA TO263 | 1343888 Подробнее о заказе |
|
APT10035JLL | MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP | 956 Подробнее о заказе |
В наличии | 10810 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.14000 | $1.14 |
2500 | $0.42805 | $1070.125 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.