Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB120N06S403ATMA1
LIXINC Part # IPB120N06S403ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB120N06S403ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 27 - Oct 01 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB120N06S403ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB120N06S403ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 120µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:160 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:13.15 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):167W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB120N06S403ATMA1 Документы

if IPB120N06S403ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

EKI07076 EKI07076 MOSFET N-CH 75V 85A TO220-3 918

Подробнее о заказе
RF4E110BNTR RF4E110BNTR MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8 3512

Подробнее о заказе
APT20M45BVRG APT20M45BVRG MOSFET N-CH 200V 56A TO247 993

Подробнее о заказе
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3 3221

Подробнее о заказе
IXTQ14N60P IXTQ14N60P MOSFET N-CH 600V 14A TO3P 825

Подробнее о заказе
IRFR121 IRFR121 N-CHANNEL POWER MOSFET 3729

Подробнее о заказе
MCU80N06A-TP MCU80N06A-TP MOSFET N-CH 60V 80A DPAK 982

Подробнее о заказе
IPI120N04S401AKSA1 IPI120N04S401AKSA1 MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 1993

Подробнее о заказе
BUK961R7-40E,118 BUK961R7-40E,118 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 1237

Подробнее о заказе
IRFS59N10DPBF IRFS59N10DPBF MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK 801

Подробнее о заказе
IRFI540NPBF IRFI540NPBF MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP 824

Подробнее о заказе
IRFS7530-7PPBF IRFS7530-7PPBF MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK 11728

Подробнее о заказе
SSU1N50BTU SSU1N50BTU 1.3A, 520V, 5.3OHM, N-CHANNEL, 56412

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10808 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.94000$0.94
1000$0.94000$940

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top