CSD16327Q3T | Texas Instruments CSD16327Q3T | CSD16327Q3T Inventory, Best Pricing

CSD16327Q3T

Увеличить

Только для справки

номер части	CSD16327Q3T
LIXINC Part #	CSD16327Q3T
Производитель	Texas Instruments
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CSD16327Q3T След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CSD16327Q3T Технические характеристики

номер части:	CSD16327Q3T
Бренд:	Texas Instruments
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Texas Instruments
ряд:	NexFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	3V, 8V
rds on (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 24A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8.4 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	+10V, -8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 12.5 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	74W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015