SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 | SQ2310ES-T1

SQ2310ES-T1_GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SQ2310ES-T1_GE3
LIXINC Part #	SQ2310ES-T1_GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SQ2310ES-T1_GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SQ2310ES-T1_GE3 Технические характеристики

номер части:	SQ2310ES-T1_GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8.5 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	485 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-236
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI7686DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8	3864 Подробнее о заказе
IPI04N03LA	MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3	1785 Подробнее о заказе
IPB35N10S3L26ATMA1	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK	873 Подробнее о заказе
TK200F04N1L,LXGQ	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM	2241 Подробнее о заказе
CSD16404Q5A	MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON	3246 Подробнее о заказе
PSMN5R0-80BS,118	MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK	954 Подробнее о заказе
SFU9224TU	P-CHANNEL POWER MOSFET	274356 Подробнее о заказе
IPZ40N04S5L2R8ATMA1	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON	7925 Подробнее о заказе
J176_D74Z	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	824 Подробнее о заказе
IPP65R280C6XKSA1	MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3	20811 Подробнее о заказе
NVTFS6H860NWFTAG	MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN	5385 Подробнее о заказе
IRFH5007TR2PBF	MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN	838 Подробнее о заказе
2SK1419	N-CHANNEL POWER MOSFET	1704 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015