RS1E200BNTB | ROHM Semiconductor RS1E200BNTB | RS1E200BNTB Inventory, Best Pricing

RS1E200BNTB

Увеличить

Только для справки

номер части	RS1E200BNTB
LIXINC Part #	RS1E200BNTB
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RS1E200BNTB След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RS1E200BNTB Технические характеристики

номер части:	RS1E200BNTB
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	20A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	59 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3100 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-HSOP
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015