Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB009N03LGATMA1

IPB009N03LGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB009N03LGATMA1
LIXINC Part # IPB009N03LGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB009N03LGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 03 - Jul 07 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB009N03LGATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB009N03LGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:0.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:227 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:25000 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):250W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB009N03LGATMA1 Документы

if IPB009N03LGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC 1295

Подробнее о заказе
TSM7ND65CI TSM7ND65CI MOSFET N-CH 650V 7A ITO220 4877

Подробнее о заказе
TPC8134,LQ(S TPC8134,LQ(S MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP 990

Подробнее о заказе
AOT254L AOT254L MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO220 938

Подробнее о заказе
AUIRFP4568-E AUIRFP4568-E MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD 1624

Подробнее о заказе
IPD90N04S3H4ATMA1 IPD90N04S3H4ATMA1 OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET 44277

Подробнее о заказе
TK32E12N1,S1X TK32E12N1,S1X MOSFET N CH 120V 60A TO-220 868

Подробнее о заказе
IXFX80N50P IXFX80N50P MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3 914

Подробнее о заказе
SSM5H90ATU,LF SSM5H90ATU,LF MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV 6934

Подробнее о заказе
IXTH13N80 IXTH13N80 MOSFET N-CH 800V 13A TO247 971

Подробнее о заказе
2SJ166-T1B-A 2SJ166-T1B-A P-CHANNEL MOSFET 2468

Подробнее о заказе
DN2530N3-G DN2530N3-G MOSFET N-CH 300V 175MA TO92 3791

Подробнее о заказе
IPA60R380E6XKSA1 IPA60R380E6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP 1985

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10961 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.82000$3.82
1000$2.01639$2016.39
2000$1.91557$3831.14
5000$1.84356$9217.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top