Только для справки
номер части | G3R160MT12D |
LIXINC Part # | G3R160MT12D |
Производитель | GeneSiC Semiconductor |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | G3R160MT12D След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | G3R160MT12D |
Бренд: | GeneSiC Semiconductor |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | GeneSiC Semiconductor |
ряд: | G3R™ |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | SiCFET (Silicon Carbide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 1200 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 22A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 15V |
rds on (max) @ id, vgs: | 192mOhm @ 10A, 15V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.69V @ 5mA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 28 nC @ 15 V |
ВГС (макс.): | ±15V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 730 pF @ 800 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 123W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | TO-247-3 |
упаковка / чехол: | TO-247-3 |
SI1013CX-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 | 19548 Подробнее о заказе |
|
IRLD024PBF | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP | 8501 Подробнее о заказе |
|
RSS070P05FRATB | MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP | 5721 Подробнее о заказе |
|
IRL2203NSPBF | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | 936 Подробнее о заказе |
|
BSZ065N03LSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON | 28934 Подробнее о заказе |
|
AOB190A60CL | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | 968 Подробнее о заказе |
|
R6020FNX | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | 1411 Подробнее о заказе |
|
SIHG20N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC | 928 Подробнее о заказе |
|
TPH8R008NH,L1Q | MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP | 5738 Подробнее о заказе |
|
IXFA110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO263 | 91781 Подробнее о заказе |
|
TK62J60W,S1VQ | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P | 910 Подробнее о заказе |
|
IRFIB41N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 2306 Подробнее о заказе |
|
BSH111BKR | MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB | 2415 Подробнее о заказе |
В наличии | 11395 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $6.72000 | $6.72 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.