Только для справки
номер части | SIA415DJ-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIA415DJ-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIA415DJ-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 01 - Jul 05 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | SIA415DJ-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Obsolete |
тип фета: | P-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 2.5V, 4.5V |
rds on (max) @ id, vgs: | 35mOhm @ 5.6A, 4.5V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 1.5V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 47 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±12V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1250 pF @ 10 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SC-70-6 |
![]() |
SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK | 3846 Подробнее о заказе |
![]() |
DMN2022UFDF-7 | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN | 11949857 Подробнее о заказе |
![]() |
FQI13N06LTU | MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK | 3782 Подробнее о заказе |
![]() |
IRL540STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 1236 Подробнее о заказе |
![]() |
RS1E130GNTB | MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP | 3054 Подробнее о заказе |
![]() |
IPA80R1K0CEXKSA2 | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP | 1426 Подробнее о заказе |
![]() |
APT30M60J | MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP | 934 Подробнее о заказе |
![]() |
FQI10N60CTU | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK | 56205 Подробнее о заказе |
![]() |
BSP318SH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 | 3885 Подробнее о заказе |
![]() |
DMTH62M8LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 861 Подробнее о заказе |
![]() |
AUIRF7734M2TR | MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 | 5773 Подробнее о заказе |
![]() |
SIDR622DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK | 2277 Подробнее о заказе |
![]() |
IRF9640SPBF | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK | 1178 Подробнее о заказе |
В наличии | 11373 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.68000 | $0.68 |
3000 | $0.42640 | $1279.2 |
6000 | $0.40638 | $2438.28 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.