2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK209-GR(TE85L,F) | 2SK209-GR(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

2SK209-GR(TE85L,F)

Увеличить

Только для справки

номер части	2SK209-GR(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK209-GR(TE85L,F)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	TRANS SJT N-CH 10MA SC59
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SK209-GR(TE85L,F) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SK209-GR(TE85L,F) Технические характеристики

номер части:	2SK209-GR(TE85L,F)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	-
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	13 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	150mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 125°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SC-59
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015