SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIR470DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR470DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIR470DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jul 04 - Jul 08 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR470DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIR470DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:155 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5660 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3 2188

Подробнее о заказе

BSD816SNH6327XTSA1 BSD816SNH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 921

Подробнее о заказе

IXTY32P05T IXTY32P05T MOSFET P-CH 50V 32A TO252 4655

Подробнее о заказе

FDMS8560S FDMS8560S 35A, 25V, 0.0018OHM, N-CHANNEL, 23475

Подробнее о заказе

STB33N65M2 STB33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 3695

Подробнее о заказе

IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 800

Подробнее о заказе

HUF76437S3S HUF76437S3S MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK 5886

Подробнее о заказе

APT5016BFLLG APT5016BFLLG MOSFET N-CH 500V 30A TO247 901

Подробнее о заказе

IPD90R1K2C3ATMA1 IPD90R1K2C3ATMA1 MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 4996

Подробнее о заказе

TSM061NA03CR RLG TSM061NA03CR RLG MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN 919

Подробнее о заказе

FDB12N50TM FDB12N50TM MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK 1694

Подробнее о заказе

MCH3475-TL-E MCH3475-TL-E MOSFET N-CH 30V 1.8A SC70 1789

Подробнее о заказе

BSP320SL6327 BSP320SL6327 SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 3762

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15893 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.95000$2.95
3000$1.39877$4196.31
6000$1.34696$8081.76

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top