Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPDD60R150G7XTMA1

IPDD60R150G7XTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPDD60R150G7XTMA1
LIXINC Part # IPDD60R150G7XTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPDD60R150G7XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPDD60R150G7XTMA1 Технические характеристики

номер части:IPDD60R150G7XTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ G7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:16A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:150mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 260µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:902 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):95W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-HDSOP-10-1
упаковка / чехол:10-PowerSOP Module

IPDD60R150G7XTMA1 Документы

if IPDD60R150G7XTMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDMC7660 FDMC7660 MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 13740

Подробнее о заказе
R6018ANJTL R6018ANJTL MOSFET N-CH 600V 18A LPTS 826

Подробнее о заказе
FDD6692 FDD6692 N-CHANNEL POWER MOSFET 67815

Подробнее о заказе
FDS6694 FDS6694 MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC 29938

Подробнее о заказе
FQU6N40CTU FQU6N40CTU MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK 15214

Подробнее о заказе
SIR800ADP-T1-RE3 SIR800ADP-T1-RE3 MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK 6180

Подробнее о заказе
IPA50R199CPXKSA1 IPA50R199CPXKSA1 MOSFET N-CH 500V 17A TO220-FP 817

Подробнее о заказе
IRL3803VPBF IRL3803VPBF IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW 911

Подробнее о заказе
DMG4800LK3-13 DMG4800LK3-13 MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 48538345

Подробнее о заказе
RSQ015N06HZGTR RSQ015N06HZGTR MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 801

Подробнее о заказе
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70 3643

Подробнее о заказе
AOB280A60L AOB280A60L MOSFET N-CH 600V 14A TO263 1621

Подробнее о заказе
IPP60R600E6 IPP60R600E6 N-CHANNEL POWER MOSFET 838

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12957 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.62000$3.62
1700$1.98396$3372.732
3400$1.88476$6408.184
5100$1.81390$9250.89

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top