RQ1E075XNTCR | ROHM Semiconductor RQ1E075XNTCR | RQ1E075XNTCR Inventory, Best Pricing

RQ1E075XNTCR

Увеличить

Только для справки

номер части	RQ1E075XNTCR
LIXINC Part #	RQ1E075XNTCR
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RQ1E075XNTCR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RQ1E075XNTCR Технические характеристики

номер части:	RQ1E075XNTCR
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	17mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.8 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.1W (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TSMT8
упаковка / чехол:	8-SMD, Flat Lead

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.77000	$0.77

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015