BSC105N10LSFGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC105N10LSFGATMA1 | BSC105N10LSFGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC105N10LSFGATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC105N10LSFGATMA1
LIXINC Part #	BSC105N10LSFGATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC105N10LSFGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 29 - Oct 03 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC105N10LSFGATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC105N10LSFGATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11.4A (Ta), 90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.4V @ 110µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3900 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	156W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

STW75NF30AG	MOSFET N-CH 300V 60A TO247	911 Подробнее о заказе
TSM033NA04LCR RLG	MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN	5852 Подробнее о заказе
SI2301-TP	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23	2761 Подробнее о заказе
IRFP3306PBF	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC	2482 Подробнее о заказе
DMP2066LSN-7	MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3	23431 Подробнее о заказе
STL120N2VH5	MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT	889 Подробнее о заказе
STU3N45K3	MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK	881 Подробнее о заказе
FQA13N80-F109	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	972 Подробнее о заказе
SIHP15N80AE-GE3	MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB	1951 Подробнее о заказе
AOWF125A60	MOSFET N-CH 600V 28A TO262F	1998 Подробнее о заказе
SI8413DB-T1-E1	MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT	3736 Подробнее о заказе
TK14G65W,RQ	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK	3794 Подробнее о заказе
RM180N100T2	MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3	903 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.42000	$3.42
5000	$1.65033	$8251.65

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015