IPB108N15N3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB108N15N3GATMA1 | IPB108N15N3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB108N15N3GATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB108N15N3GATMA1
LIXINC Part #	IPB108N15N3GATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB108N15N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB108N15N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB108N15N3GATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	83A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	8V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	10.8mOhm @ 83A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 160µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3230 pF @ 75 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	214W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STD16N65M5	MOSFET N-CH 650V 12A DPAK	862 Подробнее о заказе
FDMA530PZ	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	2740 Подробнее о заказе
IPT007N06NATMA1	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF	959 Подробнее о заказе
PSMN030-150B,118	MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK	10431 Подробнее о заказе
FCPF260N60E	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N	956 Подробнее о заказе
RFD16N06LESM9A	MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA	6655 Подробнее о заказе
RFD7N10LE	N-CHANNEL POWER MOSFET	6797 Подробнее о заказе
PMZ600UNELYL	MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3	882 Подробнее о заказе
TK6A53D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS	973 Подробнее о заказе
RRF015P03TL	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3	908 Подробнее о заказе
BUK652R0-30C,127	MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB	4052 Подробнее о заказе
NTMFS5C604NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	4169 Подробнее о заказе
FQPF33N10	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	912 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015