Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSB044N08NN3GXUMA1

BSB044N08NN3GXUMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSB044N08NN3GXUMA1
LIXINC Part # BSB044N08NN3GXUMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSB044N08NN3GXUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSB044N08NN3GXUMA1 Технические характеристики

номер части:BSB044N08NN3GXUMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:18A (Ta), 90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 97µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5700 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.2W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:MG-WDSON-2, CanPAK M™
упаковка / чехол:3-WDSON

BSB044N08NN3GXUMA1 Документы

if BSB044N08NN3GXUMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STD65N3LLH5 STD65N3LLH5 MOSFET N CH 30V 65A DPAK 969

Подробнее о заказе
IXTH12N100L IXTH12N100L MOSFET N-CH 1000V 12A TO247 967

Подробнее о заказе
FQAF16N25 FQAF16N25 MOSFET N-CH 250V 12.4A TO3PF 1668

Подробнее о заказе
PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-25YLC,115 MOSFET N-CH 25V 46A LFPAK56 10179

Подробнее о заказе
GKI07113 GKI07113 MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN 958

Подробнее о заказе
2SK1288-AZ 2SK1288-AZ N-CHANNEL POWER MOSFET 107646

Подробнее о заказе
SIHA120N60E-GE3 SIHA120N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 25A TO220 948

Подробнее о заказе
IRFB7434PBF IRFB7434PBF IRFB7434 - 12V-300V N-CHANNEL PO 1269

Подробнее о заказе
RM25N30DN RM25N30DN MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 8DFN 926

Подробнее о заказе
IRFI614GPBF IRFI614GPBF MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3 1667

Подробнее о заказе
FDS4080N3 FDS4080N3 MOSFET N-CH 40V 13A 8SO 40864

Подробнее о заказе
FDMS2734 FDMS2734 MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP 9416

Подробнее о заказе
RSH100N03TB1 RSH100N03TB1 MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP 952

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 17194 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.17000$3.17
5000$1.53036$7651.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top