Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPN80R900P7ATMA1

IPN80R900P7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPN80R900P7ATMA1
LIXINC Part # IPN80R900P7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPN80R900P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPN80R900P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPN80R900P7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:900mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 110µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:350 pF @ 500 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):7W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223
упаковка / чехол:TO-261-3

IPN80R900P7ATMA1 Документы

if IPN80R900P7ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BUZ73AE3046 BUZ73AE3046 N-CHANNEL POWER MOSFET 920

Подробнее о заказе
SQ4850EY-T1_GE3 SQ4850EY-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 3240

Подробнее о заказе
APT10M19BVRG APT10M19BVRG MOSFET N-CH 100V 75A TO247 960

Подробнее о заказе
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP 828

Подробнее о заказе
BUK7212-55B,118 BUK7212-55B,118 MOSFET N-CH 55V 75A DPAK 855

Подробнее о заказе
EPC2039 EPC2039 GANFET N-CH 80V 6.8A DIE 90023

Подробнее о заказе
AON6510 AON6510 MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN 1243

Подробнее о заказе
IRF840LCSTRRPBF IRF840LCSTRRPBF MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB 888

Подробнее о заказе
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) MOSFET N-CH 10V 14MA SC59 12122

Подробнее о заказе
PSMN130-200D,118-NEX PSMN130-200D,118-NEX POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 940

Подробнее о заказе
PMZB670UPE,315 PMZB670UPE,315 MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 30568

Подробнее о заказе
STW21NM60ND STW21NM60ND MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3 1163

Подробнее о заказе
SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 6392

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 16407 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.24000$1.24
3000$0.61327$1839.81
6000$0.58598$3515.88
15000$0.56648$8497.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top