Только для справки
номер части | SIDR390DP-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIDR390DP-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIDR390DP-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIDR390DP-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® Gen IV |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 69.9A (Ta), 100A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 0.8mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 153 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | +20V, -16V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 10180 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SO-8DC |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SO-8 |
AO4354 | MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC | 889 Подробнее о заказе |
|
IXFQ30N60X | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | 2069 Подробнее о заказе |
|
SIE820DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK | 1584 Подробнее о заказе |
|
IPD50R500CE | IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN | 500673 Подробнее о заказе |
|
SI7415DN-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 | 1993 Подробнее о заказе |
|
SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | 35506 Подробнее о заказе |
|
2SK1957-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2729 Подробнее о заказе |
|
IPP030N10N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 1975 Подробнее о заказе |
|
IPW65R095C7 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247 | 928 Подробнее о заказе |
|
IRFB3006GPBF | MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB | 889 Подробнее о заказе |
|
RM2303 | MOSFET P-CHANNEL 30V 2A SOT23 | 967 Подробнее о заказе |
|
RM210N75HD | MOSFET N-CH 75V 210A TO263-2 | 931 Подробнее о заказе |
|
PMPB27EP,115 | MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6 | 828 Подробнее о заказе |
В наличии | 12173 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $2.61000 | $2.61 |
3000 | $1.32396 | $3971.88 |
6000 | $1.27802 | $7668.12 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.