Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSB028N06NN3GXUMA1

BSB028N06NN3GXUMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSB028N06NN3GXUMA1
LIXINC Part # BSB028N06NN3GXUMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSB028N06NN3GXUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSB028N06NN3GXUMA1 Технические характеристики

номер части:BSB028N06NN3GXUMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:22A (Ta), 90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 102µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:143 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:12000 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.2W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:MG-WDSON-2, CanPAK M™
упаковка / чехол:3-WDSON

BSB028N06NN3GXUMA1 Документы

if BSB028N06NN3GXUMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PHP30NQ15T,127 PHP30NQ15T,127 MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB 5929

Подробнее о заказе
BSP317PL6327HTSA1 BSP317PL6327HTSA1 MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 924

Подробнее о заказе
BUK9675-100A,118 BUK9675-100A,118 23A, 100V, 0.084OHM, N-CHANNEL M 23042

Подробнее о заказе
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST 1529

Подробнее о заказе
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT 1779

Подробнее о заказе
HUF75343G3 HUF75343G3 MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 1797

Подробнее о заказе
DMNH10H028SPS-13 DMNH10H028SPS-13 MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 10976

Подробнее о заказе
BUK6E3R4-40C,127 BUK6E3R4-40C,127 PFET, 100A I(D), 40V, 0.006OHM, 5161

Подробнее о заказе
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 IPLK60R1K5PFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK 5986

Подробнее о заказе
BUK7Y15-100E115 BUK7Y15-100E115 N-CHANNEL POWER MOSFET 949

Подробнее о заказе
FQPF5N50CFTU FQPF5N50CFTU MOSFET N-CH 500V 5A TO220F 4308

Подробнее о заказе
SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 6A 8SO 3484

Подробнее о заказе
AON7380 AON7380 MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN 948

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10922 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.54000$2.54
5000$1.12105$5605.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top