Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC016N04LSGATMA1
LIXINC Part # BSC016N04LSGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC016N04LSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC016N04LSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC016N04LSGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:31A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 85µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:150 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:12000 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 139W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC016N04LSGATMA1 Документы

if BSC016N04LSGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NDP6020P NDP6020P POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 1703

Подробнее о заказе
PMN27UP,115 PMN27UP,115 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 982

Подробнее о заказе
IPP60R070CFD7XKSA1 IPP60R070CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 830

Подробнее о заказе
PMPB15XPH PMPB15XPH MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6 967

Подробнее о заказе
FDI150N10 FDI150N10 MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK 5561659

Подробнее о заказе
SQ4470EY-T1_BE3 SQ4470EY-T1_BE3 MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC 3470

Подробнее о заказе
IXTT170N10P IXTT170N10P MOSFET N-CH 100V 170A TO268 34353

Подробнее о заказе
SKP202 SKP202 MOSFET N-CH 200V 45A TO263-3 849

Подробнее о заказе
TN2504N8-G TN2504N8-G MOSFET N-CH 40V 890MA TO243AA 2480

Подробнее о заказе
NTD5806NT4G NTD5806NT4G MOSFET N-CH 40V 33A DPAK 897

Подробнее о заказе
CPH3324-TL-E CPH3324-TL-E MOSFET P-CH 60V 1.2A 3CPH 27977

Подробнее о заказе
IPA65R190CFDXKSA2 IPA65R190CFDXKSA2 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 931

Подробнее о заказе
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF 819

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10917 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.28000$2.28
5000$1.06681$5334.05
10000$1.04443$10444.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top