Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FQD2N80TM

FQD2N80TM
Увеличить

Только для справки

номер части FQD2N80TM
LIXINC Part # FQD2N80TM
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQD2N80TM След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQD2N80TM Технические характеристики

номер части:FQD2N80TM
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:QFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:1.8A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:550 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D-Pak
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD2N80TM Документы

if FQD2N80TM PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRF9Z24NSTRLPBF IRF9Z24NSTRLPBF MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK 1168

Подробнее о заказе
BSP170PL6327HTSA1 BSP170PL6327HTSA1 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 283171

Подробнее о заказе
NVMFS5C406NLT1G NVMFS5C406NLT1G MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN 1784

Подробнее о заказе
SQ9407EY-T1_BE3 SQ9407EY-T1_BE3 MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC 2749

Подробнее о заказе
R6009KNX R6009KNX MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM 888

Подробнее о заказе
PMR290XN,115 PMR290XN,115 MOSFET N-CH 20V 970MA SC75 70106

Подробнее о заказе
SFP9610 SFP9610 P-CHANNEL POWER MOSFET 2270

Подробнее о заказе
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK 999

Подробнее о заказе
IPU80R1K4CEBKMA1 IPU80R1K4CEBKMA1 MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 23485

Подробнее о заказе
SIHH14N60EF-T1-GE3 SIHH14N60EF-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8 2030

Подробнее о заказе
RTQ020N05HZGTR RTQ020N05HZGTR MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 3711

Подробнее о заказе
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8 2455

Подробнее о заказе
SI8416DB-T2-E1 SI8416DB-T2-E1 MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT 1025

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10845 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.03000$1.03
2500$0.53203$1330.075
5000$0.50690$2534.5
12500$0.48895$6111.875

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top