Только для справки
номер части | BSZ028N04LSATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ028N04LSATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSZ028N04LSATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 24 - Sep 28 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | BSZ028N04LSATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | - |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2300 pF @ 20 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TSDSON-8-FL |
упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
AUIRFU8405 | MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK | 6957 Подробнее о заказе |
|
DMN2075UDW-7 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | 825 Подробнее о заказе |
|
STD18NF25 | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | 980 Подробнее о заказе |
|
IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264AA | 494082 Подробнее о заказе |
|
IPA90R800C3 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220 | 955 Подробнее о заказе |
|
NVTFWS003N04CTAG | MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN | 6840 Подробнее о заказе |
|
SQJ412EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 | 12626 Подробнее о заказе |
|
BSS606NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 | 5482 Подробнее о заказе |
|
FDMA86251 | MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET | 2147484600 Подробнее о заказе |
|
IRFH8337TRPBF | MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN | 993 Подробнее о заказе |
|
IPA60R060C7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 16A TO220 | 945 Подробнее о заказе |
|
SISHA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK | 868 Подробнее о заказе |
|
BSC520N15NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5 | 2737 Подробнее о заказе |
В наличии | 10143 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.36000 | $1.36 |
5000 | $0.54961 | $2748.05 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.