IPN80R3K3P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN80R3K3P7ATMA1 | IPN80R3K3P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN80R3K3P7ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPN80R3K3P7ATMA1
LIXINC Part #	IPN80R3K3P7ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPN80R3K3P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 24 - Sep 28 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPN80R3K3P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPN80R3K3P7ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ P7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.9A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 30µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	120 pF @ 500 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.1W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT223
упаковка / чехол:	TO-261-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015