Только для справки
номер части | FDB3652-F085 |
LIXINC Part # | FDB3652-F085 |
Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | FDB3652-F085 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | FDB3652-F085 |
Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
ряд: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Not For New Designs |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 9A (Ta), 61A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 16mOhm @ 61A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 53 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2880 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 150W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | TO-263AB |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FDMS7572S | MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN | 7955 Подробнее о заказе |
|
IPB90N06S4L04ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | 903 Подробнее о заказе |
|
IRF530NSPBF | HEXFET POWER MOSFET | 1398 Подробнее о заказе |
|
STD4NK50ZT4 | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | 2768 Подробнее о заказе |
|
PMV20XNER | MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB | 838 Подробнее о заказе |
|
SIDR392DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK | 6529 Подробнее о заказе |
|
IRF7749L2TRPBF | IRF7749 - 12V-300V N-CHANNEL POW | 31103 Подробнее о заказе |
|
PSMN7R6-60PS,127 | MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB | 983 Подробнее о заказе |
|
IRFS31N20DTRLP | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 999 Подробнее о заказе |
|
SSM3K56CT,L3F | MOSFET N-CH 20V 800MA CST3 | 26795 Подробнее о заказе |
|
AUIRF1010EZ | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 6846 Подробнее о заказе |
|
PSMN9R5-30YLC,115 | MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56 | 13463 Подробнее о заказе |
|
FQD6N50CTF | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | 9894 Подробнее о заказе |
В наличии | 20037 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.98596 | $1.98596 |
800 | $1.98596 | $1588.768 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.