Только для справки
номер части | BUK9E6R1-100E,127 |
LIXINC Part # | BUK9E6R1-100E,127 |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BUK9E6R1-100E,127 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 11 - Oct 15 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | BUK9E6R1-100E,127 |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | TrenchMOS™ |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Obsolete |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 120A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 5.9mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.1V @ 1mA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 133 nC @ 5 V |
ВГС (макс.): | ±10V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 17.46 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 349W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | I2PAK |
упаковка / чехол: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
AO4421 | MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC | 942 Подробнее о заказе |
|
FQD2N90TF | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | 2026 Подробнее о заказе |
|
PSMN4R6-60PS,127 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB | 4391 Подробнее о заказе |
|
DMT3020LFDF-13 | MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN | 832 Подробнее о заказе |
|
IRFHM830TRPBF | MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN | 979 Подробнее о заказе |
|
ECH8420-TL-H | MOSFET N-CH 20V 14A 8ECH | 23515990 Подробнее о заказе |
|
STL35N15F3 | MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT | 931 Подробнее о заказе |
|
DMN2250UFB-7B | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN | 925 Подробнее о заказе |
|
IXTA32P05T | MOSFET P-CH 50V 32A TO263 | 10402016 Подробнее о заказе |
|
SPD07N60C2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7133 Подробнее о заказе |
|
STB6NK90ZT4 | MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK | 892 Подробнее о заказе |
|
FDMS86581-F085 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 12637 Подробнее о заказе |
|
HUF76633P3-F085 | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P | 2166 Подробнее о заказе |
В наличии | 11147 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.25000 | $1.25 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.