Только для справки
номер части | IPB027N10N3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB027N10N3GATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB027N10N3GATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB027N10N3GATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 120A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 2.7mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 275µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 206 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 14800 pF @ 50 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 300W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRLR014 | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 3268 Подробнее о заказе |
|
IRF3205STRLPBF | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | 893 Подробнее о заказе |
|
IRFR9024TRRPBF | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK | 965 Подробнее о заказе |
|
ISL9N312AD3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 212102 Подробнее о заказе |
|
NTD40N03R-001 | MOSFET N-CH 25V 45A IPAK | 4451 Подробнее о заказе |
|
FDN342P | MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 | 16197 Подробнее о заказе |
|
FDMS8662 | MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN | 995 Подробнее о заказе |
|
AUIRFR2307Z | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 8659 Подробнее о заказе |
|
IRFH5255TRPBF | MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN | 4854 Подробнее о заказе |
|
CSD25202W15 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 807 Подробнее о заказе |
|
IRL630STRLPBF | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | 1652 Подробнее о заказе |
|
IPLK80R1K4P7ATMA1 | MOSFET 800V TDSON-8 | 814 Подробнее о заказе |
|
IXFN50N120SIC | SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B | 833 Подробнее о заказе |
В наличии | 10918 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $5.86000 | $5.86 |
1000 | $3.22192 | $3221.92 |
2000 | $3.06083 | $6121.66 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.