Только для справки
номер части | SIA110DJ-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIA110DJ-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIA110DJ-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 09 - Oct 13 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIA110DJ-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® Gen IV |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 5.4A (Ta), 12A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 7.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 55mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 13 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 550 pF @ 50 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SC-70-6 |
AOTF8N80 | MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3F | 875 Подробнее о заказе |
|
IPB65R150CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK | 3310 Подробнее о заказе |
|
STB12NM50N | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | 931 Подробнее о заказе |
|
NTLUS030N03CTAG | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN | 15885 Подробнее о заказе |
|
AO4443 | MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC | 899 Подробнее о заказе |
|
SPW16N50C3FKSA1 | MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3 | 914 Подробнее о заказе |
|
FDI025N06 | MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK | 925 Подробнее о заказе |
|
BFL4037 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220FI | 936 Подробнее о заказе |
|
PXN7R7-25QLJ | PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33 | 3828 Подробнее о заказе |
|
CSD18512Q5BT | MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON | 1056 Подробнее о заказе |
|
IPU95R450P7AKMA1 | MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3 | 1271 Подробнее о заказе |
|
FDA20N50-F109 | MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN | 3436773 Подробнее о заказе |
|
IPB90N06S404ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK | 10601 Подробнее о заказе |
В наличии | 16144 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.96000 | $0.96 |
3000 | $0.45058 | $1351.74 |
6000 | $0.42943 | $2576.58 |
15000 | $0.41432 | $6214.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.