HAT2279N-EL-E | Rochester Electronics HAT2279N-EL-E | HAT2279N-EL-E Inventory, Best Pricing

HAT2279N-EL-E

Увеличить

Только для справки

номер части	HAT2279N-EL-E
LIXINC Part #	HAT2279N-EL-E
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HAT2279N-EL-E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HAT2279N-EL-E Технические характеристики

номер части:	HAT2279N-EL-E
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	30A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	12.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3.52 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	25W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-LFPAK-iV
упаковка / чехол:	8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.99000	$0.99

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015