Только для справки
номер части | IPB080N03LGATMA1 |
LIXINC Part # | IPB080N03LGATMA1 |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | PFET, 48A I(D), 30V, 0.0119OHM, |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB080N03LGATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB080N03LGATMA1 |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Bulk |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 8mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 18 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.9 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 47W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
CPC5602CTR | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 | 4247 Подробнее о заказе |
|
NTR4101PT1H | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 | 4657 Подробнее о заказе |
|
STD4N52K3 | MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK | 847 Подробнее о заказе |
|
PHD71NQ03LT,118 | TRANSISTOR >30MHZ | 3955 Подробнее о заказе |
|
SIB452DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75 | 1274 Подробнее о заказе |
|
STP30NF10 | MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB | 2362 Подробнее о заказе |
|
DMT34M2LPS-13 | MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506 | 883 Подробнее о заказе |
|
NVMFS5C645NLWFAFT1G | MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN | 811 Подробнее о заказе |
|
FDB2552-F085 | MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB | 451630 Подробнее о заказе |
|
TN0110N3-G-P002 | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 | 876 Подробнее о заказе |
|
NTR3C21NZT1G | MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 | 5224 Подробнее о заказе |
|
BSS138K | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 | 816 Подробнее о заказе |
|
IRLML2803TRPBF | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 | 115885 Подробнее о заказе |
В наличии | 17220 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.40000 | $0.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.