IMZ120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMZ120R045M1XKSA1 | IMZ120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

IMZ120R045M1XKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IMZ120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	IMZ120R045M1XKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IMZ120R045M1XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IMZ120R045M1XKSA1 Технические характеристики

номер части:	IMZ120R045M1XKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolSiC™
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	52A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.7V @ 10mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 15 V
ВГС (макс.):	+20V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 800 V
Фет-функция:	Current Sensing
рассеиваемая мощность (макс.):	228W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-4-1
упаковка / чехол:	TO-247-4

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$18.33000	$18.33

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015